BSS209PWH6327 دیتاشیت

BSS209PWH6327

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSS209PWH6327
حجم فایل 72.161 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت BSS209PWH6327

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSS209PWH6327
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Continuous Drain Current (Id): 630mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.2V@3.5uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 550mΩ@4.5V,630mA
  • Package: SOT-323-3
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه